6月9日消息，近日，我国在高性能光电芯片领域取得重大突破——110GHz带宽的高性能薄膜铌酸锂（LiNbO₃）调制器芯片成功实现量产，标志着我国在该技术领域已达到国际先进水平。

该芯片由国内科研团队联合产业界共同攻关，采用先进的薄膜铌酸锂平台和微纳加工工艺，突破了传统调制器在带宽、损耗和集成度等方面的技术瓶颈。其110GHz的超高带宽可显著提升光通信系统的传输速率和容量，为下一代超高速光通信、数据中心、人工智能及6G网络的发展提供了核心器件支撑。

薄膜铌酸锂调制器因其优异的电光特性，被视为高速光通信领域的关键组件。此次量产成功，不仅填补了国内空白，还有望降低相关产业的进口依赖，推动我国光电子产业链的自主可控。

专家表示，这一成果的产业化应用将加速我国在高速光模块市场的竞争力，并为全球光通信技术发展注入新动力。未来，团队将进一步优化性能并拓展应用场景，助力数字经济基础设施建设。