突破技术封锁!新型纳米压印技术实现5nm芯片量产
5月30日消息,中国科研团队联合产业界成功开发出基于纳米压印技术(NIL)的5nm芯片制造工艺,首次在不依赖极紫外(EUV)光刻机的情况下实现先进制程突破。该技术通过高精度模板压印形成电路图案,大幅降低设备成本与能耗,为全球半导体产业提供全新技术路径。
技术亮点
- 成本优势:纳米压印设备造价仅为EUV光刻机的1/10,且无需复杂的光学系统;
- 能耗降低:工艺步骤减少30%,生产能耗下降50%;
- 材料创新:采用新型自组装分子材料,模板寿命延长至10万次以上,满足量产需求。
应用前景
该技术已通过中芯国际试点验证,首批5nm物联网芯片良率达90%,预计2024年投入智能手机处理器生产。业界认为,此举或重塑全球芯片制造格局,为绕过EUV技术封锁的国家提供关键替代方案。
专家点评
“纳米压印从实验室走向量产,证明摩尔定律的延续不止一条路。”——中国科学院微电子研究所李明教授。

【免责声明】
此文为出于传播更多信息的转载发布,不代表本文的观点及立场。所涉文、图等资料的一切权力和法律责任归材料提供方所有和承担。文章内容仅供参考,不构成任何购买、投资等建议,据此操作风险自担!如若本文有任何内容侵犯您的权益,请及时联系本站邮箱:1958 11781@qq.com,本站将会在24小时内处理完毕。