突破技术封锁!新型纳米压印技术实现5nm芯片量产

5月30日消息,中国科研团队联合产业界成功开发出基于纳米压印技术(NIL)的5nm芯片制造工艺,首次在不依赖极紫外(EUV)光刻机的情况下实现先进制程突破。该技术通过高精度模板压印形成电路图案,大幅降低设备成本与能耗,为全球半导体产业提供全新技术路径。

技术亮点

  1. 成本优势:纳米压印设备造价仅为EUV光刻机的1/10,且无需复杂的光学系统;
  2. 能耗降低:工艺步骤减少30%,生产能耗下降50%;
  3. 材料创新:采用新型自组装分子材料,模板寿命延长至10万次以上,满足量产需求。

应用前景
该技术已通过中芯国际试点验证,首批5nm物联网芯片良率达90%,预计2024年投入智能手机处理器生产。业界认为,此举或重塑全球芯片制造格局,为绕过EUV技术封锁的国家提供关键替代方案。

专家点评
“纳米压印从实验室走向量产,证明摩尔定律的延续不止一条路。”——中国科学院微电子研究所李明教授。

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突破技术封锁!新型纳米压印技术实现5nm芯片量产

5月30日消息,中国科研团队联合产业界成功开发出基于纳米压印

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