6月3日消息，近日，Intel宣布正加速研发新一代内存技术，目标在2027年推出高性能、低功耗的替代方案，以取代当前广泛使用的HBM（高带宽内存）。据透露，该技术有望实现容量翻倍，同时功耗降低40%，或将彻底改变数据中心、AI及高性能计算领域的能效瓶颈。

技术突破：性能与能效双升级

Intel表示，新内存技术通过优化架构与材料，显著提升存储密度与数据传输效率。相较于现有的HBM解决方案，其单位容量成本更低，且更适应未来AI算力需求。行业分析指出，若研发顺利，该技术可能成为Intel在半导体市场竞争中的关键筹码。

市场影响：挑战HBM主导地位

目前，HBM内存主要由三星、SK海力士等厂商主导，广泛应用于GPU和AI加速芯片。Intel若成功推出替代方案，将打破现有市场格局，并为客户提供更具性价比的选择。此外，功耗的大幅降低也有助于减少数据中心碳排放，符合全球可持续发展趋势。

展望未来

Intel计划在2025年前完成关键技术验证，2027年实现量产。业界对此高度关注，认为此举可能重新定义内存技术标准，进一步推动算力密集型应用的发展。