5月23日消息，近日，韩国半导体巨头SK海力士（SK hynix）宣布成功研发全球首款321层4D NAND闪存芯片，并率先应用于新一代UFS 4.1移动存储方案。这一突破性进展将手机存储密度和性能推向新高度，较目前主流176层/238层产品实现跨越式升级。

▌技术亮点：

1. 堆叠层数创新纪录：通过超精密蚀刻工艺实现321层垂直堆叠，单位面积存储容量提升40%以上；
2. 4D架构再进化：在3D NAND基础上集成外围电路优化技术，读写速度较UFS 4.0提升25%，最高可达4.2GB/s；
3. 能效比优化：采用全新电荷陷阱型（CTF）设计，功耗降低30%，适配AI手机等高负载场景；
4. 量产可行性：已通过可靠性验证，预计2025年H2量产，首批应用于旗舰智能手机。

行业分析指出，该技术将加速1TB存储成为中高端手机标配，并为AR/VR设备、车载系统提供更高性能存储解决方案。SK海力士表示，正与多家全球头部手机厂商推进产品适配测试。